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30V 21.7A/78A Diode Electronic Component NTMFS4C024NT1G MOSFET N-CH 5DFN

transistor MOSFET N-CH 5DFN du composant électronique NTMFS4C024NT1G de diode de 30V 21.7A/78A

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    composant électronique de la diode 21.7A

    ,

    composant électronique de la diode 78A

    ,

    NTMFS4C024NT1G

  • Technologie
    Transistor MOSFET (oxyde de métal)
  • Vidangez à la tension de source (Vdss)
    30 V
  • Montage du type
    Bâti extérieur
  • Paquet de dispositif de fournisseur
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Nom de marque
    onsemi
  • Certification
    RoHS Compliant
  • Numéro de modèle
    NTMFS4C024NT1G
  • Quantité de commande min
    1
  • Prix
    Contact the sales
  • Détails d'emballage
    Contacter les ventes
  • Délai de livraison
    2 ou 3 jours
  • Conditions de paiement
    Contacter les ventes
  • Capacité d'approvisionnement
    5000

transistor MOSFET N-CH 5DFN du composant électronique NTMFS4C024NT1G de diode de 30V 21.7A/78A

Transistor MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN de NTMFS4C024NT1G

 

 

Mfr
Série
-
Paquet
Bande et bobine (TR)
Coupez la bande (les CT)
Digi-Reel®
Statut de produit
Actif
Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
30 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1972 PF @ 15 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
2.57W (merci), 33W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet/cas
Nombre bas de produit

 

 

Expédition :

1, nous pouvons expédition partout dans le monde par DHL, UPS, Fedex, TNT.

L'emballage est très sûr et fort. Nitfy je vous veuillez avoir tous les besoins spéciaux
2, cela prendra environ 3-5 jours pour atteindre vos mains.

 

Type et état de produit :
En raison de la situation instable de ventes. les pièces courantes changent toujours et le bulletin de la cote ne peut pas être promptement mis à jour.

Veuillez consulter la situation courante quand vous vous enquérez.
 

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Messager offrant la distribution exprès globale, la logistique et le service de messagerie international des colis et du fret.

TNT Express N.V., Thomas Nationwide Transport, est une société internationale de services de distribution de messager avec des sièges sociaux dans Hoofddorp, Pays-Bas. L'entreprise a entièrement possédé des opérations dans 63 pays et fournit des documents, des colis et des morceaux de fret à plus de 200 pays.

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Expédition internationale, à l'heure, chaque fois.

DHL exprès est une division de la société allemande Deutsche Post DHL de logistique fournissant des services de messagerie exprès internationaux. Deutsche Post est la plus grande société de la logistique du monde fonctionnant autour du monde. DHL est un leader de marché du monde dans la mer et la poste aérienne.

transistor MOSFET N-CH 5DFN du composant électronique NTMFS4C024NT1G de diode de 30V 21.7A/78A 2 United Parcel Service de North America, Inc., typiquement désigné et marqué sous le nom d'UPS (stylisé en tant que se lève), est la plus grande société d'expédition et de logistique dans le monde. La société de livraison globale américaine de paquet est siégée en Sandy Springs, la Géorgie, qui fait partie de la zone métropolitaine plus grande d'Atlanta. UPS fournit plus de 15 millions de paquets par jour à plus de 6,1 millions de clients dans plus de 220 pays et territoires autour du monde.
transistor MOSFET N-CH 5DFN du composant électronique NTMFS4C024NT1G de diode de 30V 21.7A/78A 3 FedEx Corporation est une société globale américaine de services de distribution de messager siégée à Memphis, Tennessee. Le nom « Fedex » est une abréviation syllabique du nom de la division d'air originale de la société, Federal Express, qui a été employé à partir de 1973 jusqu'en 2000.